在完成教程1、2和(hé)3後，你(nǐ)已熟悉利用OptiBPM創建項目的基本程序：
• 生(shēng)成材料
• 插入波導和(hé)輸入平面
• 編輯波導和(hé)輸入平面的參數(shù)
• 運行(xíng)仿真
• 選擇輸出數(shù)據文件
• 運行(xíng)仿真
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結果和(hé)各種數(shù)值工具
教程4和(hé)之後的教程在你(nǐ)已掌握的操作(zuò)的基礎上(shàng)，對仿真過程進行(xíng)了簡化描述。如果需要更多(duō)細節信息，可(kě)參閱之前課程中提供的操作(zuò)。
本課程描述了如何創建一個(gè)MMI星型耦合器(qì)。該星型耦合器(qì)是對簡單MMI耦合器(qì)(教程2：創建一個(gè)簡單多(duō)模幹涉星型（下文簡稱為(wèi)MMI）耦合器(qì))的進一步改進。它是由一個(gè)輸入波導、一個(gè)MMI耦合器(qì)以及四個(gè)輸出波導組成。步驟如下：
• 定義MMI星型耦合器(qì)的材料
• 定義布局設置
• 創建MMI星形耦合器(qì)
• 運行(xíng)模拟
• 查看最大(dà)值
• 繪制(zhì)輸出波導
• 為(wèi)輸出波導分配路徑
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結果
• 添加輸出波導并查看新的仿真結果
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真結果
1. 定義MMI星型耦合器(qì)的材料
要定義單向彎曲器(qì)件的材料，請(qǐng)執行(xíng)以下步驟。
步驟 操作(zuò)
1) 創建一個(gè)介電(diàn)材料：
名稱：guide
相對折射率(Re)：3.3
2) 創建第二個(gè)介電(diàn)材料
名稱： cladding
相對折射率(Re)：3.27
3) 點擊保存來(lái)存儲材料
4) 創建以下通(tōng)道(dào)：
名稱：channel
二維剖面定義材料: guide
5 點擊保存來(lái)存儲材料。
2. 定義布局設置
要定義布局設置，請(qǐng)執行(xíng)以下步驟。
步驟 操作(zuò)
1) 鍵入以下設置。
a. Waveguide屬性：
寬度：2.8
配置文件：channel
b. Wafer尺寸：
長度：1420
寬度：60
c. 2D晶圓屬性：
材質：cladding
2) 點擊OK，将此設置應用到布局中。
3. 創建一個(gè)MMI星型耦合器(qì)
由于MMI星形耦合器(qì)中有(yǒu)四個(gè)輸出通(tōng)道(dào)，因此需要找到在教程2(教程2：創建一個(gè)簡單的MMI耦合器(qì))中的簡單MMI耦合器(qì)所産生(shēng)的四個(gè)最大(dà)強度的位置。 如教程2中所述，這個(gè)位置在MMI耦合器(qì)中的第二個(gè)波導大(dà)約1180-1210μm的地方。
要創建MMI星型耦合器(qì)并找到所需耦合的相關耦合器(qì)長度，請(qǐng)執行(xíng)以下步驟。
步驟 操作(zuò)
1) 繪制(zhì)和(hé)編輯第一個(gè)波導
a. 起始偏移量：
水(shuǐ)平：0
垂直：0
b. 終止偏移：
水(shuǐ)平：100
垂直：0
2) 繪制(zhì)和(hé)編輯第二個(gè)波導
a. 起始偏移量：
水(shuǐ)平：100
垂直：0
b. 終止偏移：
水(shuǐ)平：1420
垂直：0
c. 寬：48
3) 單擊OK，應用這些(xiē)設置。 |
