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元件內(nèi)部場(chǎng)分析儀:FMM
時(shí)間(jiān):2023-12-12 16:17來(lái)源:未知作(zuò)者: infotek點擊:打印
摘要



元件內(nèi)部場(chǎng)分析器(qì):FMM允許用戶可(kě)視(shì)化和(hé)研究微結構和(hé)納米結構內(nèi)部的電(diàn)磁場(chǎng)分布。為(wèi)此,使用傅立葉模态法/嚴格耦合波分析(FMM/RCWA)計(jì)算(suàn)周期性結構(透射或反射、電(diàn)介質或金屬)內(nèi)部的場(chǎng)。還(hái)可(kě)以指定場(chǎng)的哪一部分應該可(kě)視(shì)化:正向模式、反向模式或兩者同時(shí)顯示。

元件內(nèi)部場(chǎng)分析儀:FMM
 

元件內(nèi)部場(chǎng)分析器(qì):FMM是光栅光學裝置的獨有(yǒu)功能,可(kě)提供光栅結構內(nèi)部電(diàn)磁場(chǎng)的可(kě)視(shì)化。
 
評估模式的選擇
  
 
為(wèi)了更容易地區(qū)分入射場(chǎng)、反射場(chǎng)和(hé)透射場(chǎng),可(kě)以僅評估正向或反向傳播模式,或者評估兩者的總和(hé)。
 
評價區(qū)域的選擇
  

 
元件內(nèi)部場(chǎng)分析器(qì):FMM可(kě)以輸出整個(gè)元件(包括基闆)內(nèi)部的場(chǎng),或者隻輸出一個(gè)堆棧或基塊(基闆)中的場(chǎng)。
 
不同光栅結構的場(chǎng)分布
 
任意形狀的光栅結構可(kě)以通(tōng)過元件內(nèi)部場(chǎng)分析儀進行(xíng)分析。以下是幾個(gè)例子:
 
 
光栅結構的采樣
 
雖然分析儀為(wèi)輸出數(shù)據提供了一些(xiē)采樣選項,但(dàn)系統中定義的光栅表面必須正确采樣(例如,分解點和(hé)過渡點的層數(shù)足夠)。

 
分解預覽展示了如何根據當前采樣因子對光栅結構進行(xíng)采樣。
 
光栅結構的充分采樣意味着已經實現了收斂,即進一步增加采樣不會(huì)顯著影(yǐng)響産生(shēng)的場(chǎng)。例如,如果層分解過于粗糙,則可(kě)能會(huì)由于縱斷面中的大(dà)台階而産生(shēng)其他影(yǐng)響。
 
 
輸出數(shù)據的采樣:一維周期光栅(Lamellar)

 
對于1D周期性(片狀)光栅,分析儀使用對話(huà)框“采樣”部分中指定的參數(shù)生(shēng)成2D橫截面圖像。
 
輸出數(shù)據的采樣:二維周期光栅
 
當分析的光栅設置為(wèi)2D Periodic時(shí),Field Inside Component Analyzer:FMM将通(tōng)過結構生(shēng)成一系列二元截面,z方向的采樣參數(shù)決定執行(xíng)的切割次數(shù)。
 
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